램 플러스 (가상 램) 적용된 모델 사용자가 언제든 램 플러스 (가상 램) 사용(활성화) / 사용안함(비활성) 옵션 설정 할 수 있게 안드로이드11이나 안드로이드12에서라도 해주세요. 아직까지는 램 플러스 적용된 기기에 램 플러스 사용 강제로 되어 켜기/끄기 옵션 설정이 없는걸로 압니다.
추가로 물리 램 용량에 따른 메모리의 불안정한 가격 오르락 내리락하는 가격 상승으로 기기의 재료 원가 부담과 출고가 상승 요인 영향 받는 문제라면 램 용량을 새로운 메모리 압축 기술로 램 사용 처리 방식과 램 최적화를 하면 좋아질수있지않을까 생각 됩니다만
현재의 램 플러스 (가상 램)은 램 최적화라고 보기 어렵습니다.. 메모리 압축 기술과 서로 원리와 개념이 다른걸로 압니다
전작 갤럭시 S20 시리즈와 노트20울트라의 12GB 램과 다르게 올해 플래그쉽 갤럭시 S21 시리즈의 S21 일반모델과 S21플러스 모델부터 8GB 램으로 줄어들었고요. 국내판 중급기 A라인 보급형까지 억지로 너프된 낮은 램에 쥐어짜기식 임시방편 처방에 플래그쉽, 중급기 A라인 보급형이든 가상 램은 물리 램을 사용하는것보다 상대적으로 속도가 느리고 안드로이드OS와 갤럭시폰은 많은 기능탑재와 갤럭시 폰 기기별 램 용량에 따라 기본 상태에서 램 점유율 3GB 후반~4GB 초반까지 잡아먹는 무거운 삼성 One Ui, 구글, 삼성 소프트웨어 발적화로 인해 결국 물리 램을 더욱 늘려줘야하는데 8GB램 256GB 내장메모리 용량 해외판 옵션과 달리 내수차별 국내판 A52s는 너프된 6램 128GB 작은 용량 쥐어짜서 저장공간 더 차지하며 악순환과 속도 느린 가상 램 보단 물리 램이 높아야 좋습니다. 물리 램 줄여서 램 너프 해놓고 내장 스토리지 저장공간 이용해서 상대적으로 느린 가상 램으로 떼우게 하는건 또 너무 처참하게 심각한 원가절감이네요
원가절감이면서 원가절감의 폐해입니다. 해외에서는 이미 램디스크 평이 안좋고요. 물리 램은 높으면 높을수록 좋죠 지난해 S20 FE 국내출시 모델과 올해 삼성 A라인 보급형 국내출시 모델에는 램2GB씩 너프한 6GB, S21 시리즈 울트라모델 제외한 S21 일반 모델과 S21플러스 모델은 4GB램 너프이고 물리 램용량을 줄여서 원가절감식의 가상 램은 물리 램보다 상대적으로 처리 속도가 느리고 128GB 작은용량에 용량 더 차지하게 만드는 벼룩의 간을 빼먹는것 같아요
해외 IT매체들은 이것이 새로운 기술이 아니고, 실제 램을 늘리는 만큼의 기기 성능 향상 효과를 내지는 못할 것이라고 평가했다. 보조기억장치는 정보 저장 기능에 특화돼 있어 램 용량으로 할당해도 램만큼의 연산 성능을 내지 못하기 때문이다. 이런 이유로 그동안 활용이 제한적이었던 기술을 올해 들어 업체들마다 개선하고 멀티태스킹용 램 용량 확보라는 수요가 맞물리면서 잇따른 상용화가 이뤄지고 있는 것으로 파악된다.삼성전자 관계자는 “향후 램 플러스 적용 지역(국가)이 확대될 예정이다”라며 “적용 모델 확대 역시 검토하고 있다”라고 말했습니다.
저장공간인 UFS 내장메모리 규격에 따라 속도 차이도 있고요 가상 메모리는 디스크인 UFS 내장메모리 저장공간 일부를 사용하기 때문에 실제 물리 램을 사용하는것 보다 상대적으로 속도 처리가 늦습니다.
특히 A52s는 보급형 급차이로 LPDDR4X 구형 규격인데다 A52s의 탑재된 AP 스냅드래곤 778G 스펙에 비하면 UFS 2.1 구형 규격 탑재라 아쉬우면서 안타깝게도 언벨런스이며 내장메모리 UFS 3.0 규격이 아닌 하위 UFS 2.1 구형 규격이라 가용 용량이 줄어들면 기기의 속도는 떨어집니다.
내장 메모리 UFS 2.1 규격상 UFS 3.0, 3.1 규격 보단 버벅이고 속도가 더 느릴 수밖에요. UFS 3.0규격부터는 가용용량이 줄어 들어도 기기의 속도가 떨어지지 않게 되었습니다. 포맷을 리눅스 계열 운영체제에서 사용하던 EXT4 포맷이 아닌 삼성전자가 설계한 F2FS 포맷을 적용했고 그 결과, 낸드 플래시의 랜덤 쓰기 속도가 향상되었고 가용 용량이 줄어들어도 기기의 속도가 떨어지지 않게 되었습니다
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램 플러스(가상 메모리)와 스왑 메모리에 대한 설명.
기존에 삼성 폰에 이미 SWAP 공간이 지정되어 있었는데, 기존에 있던 것은 스왑 메모리라고 부르는게 맞았습니다. 그러나 최근에 램 플러스 이름으로 추가된건 가상 메모리 방식이죠. 스왑 메모리랑 가상 메모리는 다른 방식으로 램 처럼 작동합니다. 아시다시피 스왑 메모리는 기본 저장 공간에 swap 파티션을 일정량 지정하여 RAM(실제 메모리)가 부족할 경우 RAM처럼 사용할 수 있도록 예약시켜 놓은 공간입니다. 그러나 보통 리눅스에서 가상메모리도 그렇고, 윈도우도 그렇고, 아마 안드로이드도 그럴 것 같은데 안정성 탓에 스왑파일 시스템으로 쓸 것 같은데... (스왑파일로 사용하지 않으면 리파티션으로 인한 전체 포맷이 필요). 가상메모리도 스왑메모리와 같이, 기본 저장공간의 일부의 한 영역(SWAP 영역)으로 사용하지만, 가상 메모리는 디스크를 RAM 처럼 쓴다는 의미가 아니라. 시스템에 부하로 인해 실제 메모리(RAM) 영역을 벗어나게 되면, 각 애플리케이션 프로세스의 일부를 임시로 저장공간 일부 (SWAP 영역)에 저장시키는데, 저장 시킬 때는 가상 주소로 할당시켜놓고 RAM에다가는 할당된 가상 주소에 지정된 실제 메모리 주소로 불러들여서 처리하는 방식입니다. 가상메모리는 일반적으로 램과 저장공간의 속도가 크게 달랐던 것이 맞았으나, 점차 저장공간의 속도가 빨라지게 되자, 여전히 램의 속도만큼은 아니지만, 램플러스와 같은 가상메모리도 실제로 램이 부족하다고 느끼지 못할 정도가 되었죠. 여전히 저장공간의 속도가 램 만큼 빠르지 못하기 때문에, 이게 실제 메모리(RAM) 처럼 작동하냐고 한다면 아닙니다. 기존 램 스왑에 가상메모리(스왑)이 또 하나 추가되었다고 보시면됩니다.
수명에 영향 없다면 그나마 다행이네요.. 메인 플래그쉽 모델인 S21시리즈 부터가 아쉽더군요. S21시리즈 Micro SD 슬롯도 모두 빠지고 S21 시리즈 일반 모델과 S21플러스 모델 램 너프에다가 안드로이드11 OS와 갤럭시 최적화는 가볍고 부드러워야하는데 이상하게 무거운 급이고요. 안드로이드 12버전 국내는 베타와 해외 타사는 초기지만 좀 불안 불안 해보여요..
A52s 중급기에는 아쉬운게 다른부분 몇가지 있긴하지만 A라인 급차이니 이해하는 부분이지만 이것과 별개로 A52s 램 용량과 내장메모리 용량 보다 가장 먼저 더 아쉬운것이 내장메모리 규격 UFS 3.0이 아닌 가용 용량이 줄어들면 속도가 급격히 느려지는 UFS 2.1 구형 규격을 탑재 해놓고 국내판 램 용량 너프시켜 줄여서 처리 속도 느린 가상 램 강제 적용이라는 점요..
차라리 메인 플래그쉽 S시리즈 모델 3종에는 LPDDR5 규격 12GB램 /16램 혹은 차세대 규격 LPDDR5X 12GB램/16램 중에 동일하게 동결 몇년 우려먹어도 램에서는 비판/비난은 안받을텐데요. S시리즈의 FE는 국내판에 LPDDR5 8램, A라인 퀀텀 시리즈나 A라인 최상위 넘버~하위 A5ㅇ 넘버 시리즈 넘버까지는 LPDDR4X 8램 사용하더라도요.. 전작인 S20시리즈에 LPDDR5 램12GB 넣었던걸 S21시리즈에 플래그쉽안에서 급차이를 램에까지 너무 두어던걸 빼는 너프.. 요즘 갤럭시 폰 스펙 보면 A라인인지 S라인인지 명확한 경계와 구분이 안되어갈정도로 뒤죽박죽..
